TSM480P06CI C0G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TSM480P06CI C0G

Product Overview

Κατασκευαστής:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TSM480P06CI C0G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 20A ITO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 27W (Tc) Through Hole ITO-220

Αποθέμα:

12897746
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TSM480P06CI C0G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
48mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1250 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
27W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-50°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
TSM480P06CIC0G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQPF27P06
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FQPF27P06-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.78
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH8012LPSW-13

MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM160N10LCR RLG

MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CH C5G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM60N06CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252